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量子點(diǎn)是由硒化鎘（CdSe）、碲化鎘（CdTe）、硫化鎘（CdS）、硒化鋅（ZnSe）、磷化銦（InP）、砷化銦（InAs）或是CdSe核上包裹一層ZnS或CdS組成的納米晶或半導(dǎo)體納米晶。

量子點(diǎn)的修飾方法：

量子點(diǎn)可與特定抗體或小分子結(jié)合，在不改變其化學(xué)性質(zhì)的情況下，受到光源激發(fā)后可發(fā)出特定波長(zhǎng)的熒光，實(shí)現(xiàn)對(duì)靶向目標(biāo)標(biāo)的識(shí)別及檢測(cè)。量子點(diǎn)與生物大分子如核酸、蛋白質(zhì)、養(yǎng)分載體等之間的結(jié)合，常用有以下幾種方法：

一、 靜電吸引法

1. 正電荷氫核遇到另一個(gè)電負(fù)性強(qiáng)的原子時(shí)，產(chǎn)生靜電吸引。巰基乙酸修飾的量子點(diǎn)表面帶負(fù)電，與帶正電的蛋白質(zhì)表面可通過靜電吸引連接。

2. 對(duì)于帶中性電荷的蛋白質(zhì)，可通過改造蛋白質(zhì)在其末端構(gòu)建帶正電荷的結(jié)構(gòu)，使其能靜電吸附于量子點(diǎn)表面。

3. 通過對(duì)量子點(diǎn)表面修飾使其帶負(fù)電荷后，還可靜電吸附連接上親和素，依靠生物素-親和素的高特異性結(jié)合，間接將量子點(diǎn)連接到蛋白質(zhì)分子上。

優(yōu)點(diǎn)：降低量子點(diǎn)的表面缺陷，增加量子點(diǎn)的熒光強(qiáng)度。

缺點(diǎn)：當(dāng)?shù)鞍踪|(zhì)比例過大時(shí)，蛋白質(zhì)之間產(chǎn)生交叉結(jié)合使部分量子點(diǎn)聚積，降低量子點(diǎn)熒光強(qiáng)度。

二、 常規(guī)交聯(lián)劑連接法

1. 交聯(lián)劑是一類小分子化合物，具有兩個(gè)或者更多的針對(duì)特殊基團(tuán)（如氨基、巰基）的反應(yīng)性末端，可和兩個(gè)或更多分子偶聯(lián)使這些分子結(jié)合在一起。

2. 利用這些交聯(lián)劑可使量子點(diǎn)上修飾的羧基與小分子物質(zhì)的氨基通過縮合作用進(jìn)行偶聯(lián)修飾。

3. 經(jīng)配體交換修飾的QDs用EDC和NHS法可以連接到成纖維細(xì)胞上，這種量子點(diǎn)可以穿透細(xì)胞膜，到達(dá)細(xì)胞核。

三、 生物素-親和素法

生物素-親和素系統(tǒng)（BAS）由于具有生物素與親和素之間的高度親和力及多級(jí)放大效應(yīng)，并與熒光素、酶、同位素等免疫修飾技術(shù)可以有機(jī)地結(jié)合起來，使各種示蹤免疫分析的特異性和靈敏度進(jìn)一步提高。

目前最常用方法是：通過生物素-鏈（霉）親和素系統(tǒng)結(jié)合，用于抗原抗體相互識(shí)別、活體修飾及特異性修飾，這種量子點(diǎn)探針靈敏度高、熒光信號(hào)強(qiáng)。

量子點(diǎn)的修飾的優(yōu)點(diǎn)：

在各種量子點(diǎn)中，CdTe量子點(diǎn)應(yīng)用較多。與傳統(tǒng)修飾材料相比，量子點(diǎn)的優(yōu)點(diǎn)有：

1. 熒光強(qiáng)度高；

2. 發(fā)光顏色多樣；

3. 適應(yīng)于空間及光譜的多重傳輸；

4. 量子點(diǎn)的冷光壽命一般在30～100ns；

5. 量子點(diǎn)波譜范圍寬。

量子點(diǎn)修飾的不足：

量子點(diǎn)修飾可誘導(dǎo)氧自由基的產(chǎn)生，對(duì)生物活性物質(zhì)具有一定毒性，但這些毒性可通過偶聯(lián)到蛋白質(zhì)分子上或者覆蓋一層低毒物質(zhì)來降低。量子點(diǎn)和某些蛋白質(zhì)結(jié)合后可能導(dǎo)致量子點(diǎn)的熒光減弱或淬滅，如銅/鋅-超氧化物歧化酶對(duì)CdSe量子點(diǎn)的熒光有明顯的淬滅作用。

量子點(diǎn)系列：

CdSe/ZnS 量子點(diǎn)

碳量子點(diǎn)

CQDs

carbon dots

C-dots

石墨烯量子點(diǎn)

GQDs

黑磷量子點(diǎn)

鈣鈦礦量子點(diǎn)

鎘量子點(diǎn)

水溶性量子點(diǎn)

油溶性量子點(diǎn)

InP/ZnS量子點(diǎn)

ZnCdS/ZnS量子點(diǎn)

CdTe/CdS量子點(diǎn)

CdTe/CdSe/ZnS量子點(diǎn)

CuInS/ZnS量子點(diǎn)

硫化鎘量子點(diǎn)

InP量子點(diǎn)

ZnSe量子點(diǎn)

CdSe量子點(diǎn)

PbS量子點(diǎn)

PbS/CdS量子點(diǎn)

烷基修飾量子點(diǎn)

梯度合金量子點(diǎn)

熒光量子點(diǎn)

CuInS2量子點(diǎn)

CdSe/ZnTe核殼量子點(diǎn)

Cs4PbBr6納米晶

CsPbI3鈣鈦礦量子點(diǎn)

rGO@BPQDs

碲化鎘量子點(diǎn)

PAA-CdSe/ZnS量子點(diǎn)

熒光硅量子點(diǎn)

三元合金量子點(diǎn)

半導(dǎo)體量子點(diǎn)

CsPbBr3量子點(diǎn)

CZTS量子點(diǎn)

核殼結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體量子點(diǎn)

N-CQDs

BPQDs

ZnSe/ZnS QDS

CdTe/CdS QDS

PbS QDS

PEG-BPQDs

W-CDs

CuInS2/ZnS QDS

CdSe QDS

CdS QDs

CdZnS/ZnS QDs

CdSeTe/ZnS QDs

InP/ZnS QDs

CuInS/ZnS QDs

MPA-CdTe QDs