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羥基功能化石墨烯量子點OH-GQD@VMSF/ITO修飾抗體CL/LDHs水滑石

今天瑞禧生物小編分享將尺寸匹配的小尺寸羥基功能化GQDs(OH-GQDs)或氨基功能化GQDs(NH2-GQDs)修飾在VMSF孔道內,制備GQD@VMSF修飾電極。

制備過程：

OH-GQDs的具體合成步驟如下:在0.125 molL的 NaOH 溶液中加入7.3 mmolL的三硝基芘，超聲分散后，在200 ℃下水熱反應2h得到無明顯顆粒的紅棕色溶液。將溶液裝入透析袋中透析2天以截留分子量大于1000 Da的 OH-GQDs，溶液經(jīng)冷凍干燥得到OH-GQDs固體。

采用三電極體系，以 VMSF/ITO 電極為工作電極，鉑電極為對電極，飽和Ag/AgCl電極為參比電極，對工作電極施加+0.8V的恒定電壓電泳1 h后得到OH-GQD@VMSF/ITO電極。

OH-GQDs橫向尺寸約為1.8 nm，高度約為0.8 nm,而VMSF的孔徑約為2.6nm。因此，VMSF的孔徑大于OH-GQDs 的橫向尺寸和縱向尺寸，為OH-GQDs修飾進VMSF孔道在尺寸匹配上提供了可行性。

CdTe量子點修飾水滑石：

基于層層組裝法將LDHs納米片與CdTe量子點進行復合,得到了(LDHs/CdTe)n多層超薄膜。該復合薄膜呈現(xiàn)平整、連續(xù)的表面形貌和較低的表面粗糙度,并具有超晶格有序結構。LDHs二維層狀結構為CdTe量子點的組裝提供了穩(wěn)定的限域空間,tg了量子點陽極電化學發(fā)光體系的ECL性能,同時該薄膜電極具有很好的穩(wěn)定性和重現(xiàn)性。

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